這使得世界上第一片高質(zhì)量、原子厚度的硒化銦薄膜被生產(chǎn)出來。它在室溫下的電子遷移率達到 2,000 cm2/Vs,遠遠超過了硅。在更低溫度下,這項指標還會成倍増長。
當前的實驗中,研究者們制作出的硒化銦長寬有幾微米,大約相當于一根頭發(fā)絲的橫截面那么大。研究人員們相信,只要結(jié)合現(xiàn)有的制作大面積石墨烯的技術(shù),硒化銦的商業(yè)化生產(chǎn)指日可待。
國立石墨烯研究院負責(zé)人,同時也是這篇論文作者之一的 Vladimir Falko 教授說:
“國立石墨烯研究院開發(fā)的技術(shù),能把材料的原子層進行分離,生產(chǎn)出高質(zhì)量二維晶體。這項技術(shù)為開發(fā)應(yīng)用于光電子學(xué)的新材料,提供了廣闊的前景。我們一直在尋找新的層狀材料做試驗。”
超薄硒化銦,是飛速增長的的二維晶體大家族中的一員。這些二維晶體,根據(jù)結(jié)構(gòu)、厚度和化學(xué)成分的不同,有許多有用的屬性。對石墨烯和二維材料的研究,溝通了科學(xué)和工程技術(shù)。在今天,這是材料科學(xué)發(fā)展最快的領(lǐng)域。

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